檢索結果：共22筆資料 檢索策略： "plasma".ekeyword (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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12吋半導體製程中之化學氣相沉積設備反應室內，所需之精密氧化鋁陶瓷，必須具備有高純度、能抵抗電漿環境中的侵蝕性氣體與300mm以上大尺寸物件的特性。所以，胚體成型的技術是一項重要課題，更需要鑽石工具…
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本研究主旨分為兩個部分，包含VO2 薄膜及V1-XTiXO2 粉末的性質之研究。VO2 主要應用在玻璃上來當作節能的材料；高透光性且具備節能功能的玻璃窗以成為現今重要的主題。第一部分，玻璃基材經由O…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本研究的目的在製備出具有抗菌能力的活性碳纖維吸附材，並探討電漿鍍銀前後，其吸附材的特性。實驗中以嫘縈（Viscose Rayon）針織物為前驅體（Precursor），以硫酸銨和磷酸氫二銨(混合比 …
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本論文使用磁控式濺鍍系統沈積為薄膜生成的主要製程，結合製程技術快速且低氧化溫度之電漿氧化製程，製備本實驗所需之太陽能選擇性吸收膜，並探討其吸收膜之光學性質及結晶結構。第一部份實驗為沈積一層Cu薄膜在…
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類鑽碳膜（Diamond-like carbon, DLC）具有高硬度、高絕緣性、高生物相容性、高化學惰性和導熱性等優點。本研究中，使用ECR電漿與RF電漿組成之混成式電漿化學氣相沉積系統( Hyb…
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地表的二氧化碳濃度日益升高，對環境產生重大影響，若能有效將二氧化碳轉換成高價值之化學品，可產生正向循環。 本論文成功以熱蒸鍍與化學氣相沉積法成長二硫化鉬薄膜於二氧化矽與氧化鋁基板上，再藉由氫氣與氮氣…
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜，並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層，之後再沉積出TaN薄膜當作上電極，製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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本研究主要針對奈米碳管含量(cabon nanotubes, CNTs)，超高分子量聚乙烯(ultrahigh molecular polyetheylenes, UHMWPE)濃度和冷卻成型溫度對…
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本研究利用氧電漿進行表面接枝之改質方法，在新型的Si-PU薄膜上固定親水性抗蛋白單體甲基丙烯酸聚乙二醇酯(poly(ethylene glycol) methacrylate, PEGMA)，其後將…